10月8日，工信部網站發布《關于政協十三屆全國委員會第二次會議第2282號(公交郵電類256號)提案答復的函》，稱下一步將持續推進工業半導體材料、芯片、器件及IGBT模塊產業發展，根據產業發展形勢，調整完善政策實施細則，更好地支持產業發展。
　　積極研究出臺政策扶持
　　答復函中提及，為推動中國工業半導體材料、芯片、器件及IGBT模塊產業發展，工信部、發展改革委及相關部門，積極研究出臺政策扶持產業發展。
　　下一步，工信部及相關部門將持續推進工業半導體材料、芯片、器件及IGBT模塊產業發展，根據產業發展形勢，調整完善政策實施細則，更好地支持產業發展。通過行業協會等加大產業鏈合作力度，深入推進產學研用協同，促進我國工業半導體材料、芯片、器件及IGBT模塊產業的技術迭代和應用推廣。
　　答復函中還提及，工信部與相關部門積極支持國內企業、高校、研究院所與先進發達國家加強交流合作。引進國外先進技術和研發團隊，推動包括工業半導體芯片、器件等領域國際專家來華交流，支持海外高層次產業人才來華發展，提升中國在工業半導體芯片相關領域的研發能力和技術實力。
　　下一步，工信部和相關部門將繼續加快推進開放發展。引導國內企業、研究機構等加強與先進發達國家產學研機構的戰略合作，進一步鼓勵中國企業引進國外專家團隊，促進中國工業半導體材料、芯片、器件及IGBT模塊產業研發能力和產業能力的提升。
　　推動中國芯片制造領域良率、產量提升
　　工信部回復稱，為解決工業半導體材料、芯片、器件、IGBT模塊等核心部件的關鍵性技術問題，工信部等相關部門積極支持工業半導體材料、芯片、器件、IGBT模塊領域關鍵技術攻關。
　　一是2017年工信部推出“工業強基IGBT器件一條龍應用計劃”，針對新能源汽車、智能電網、軌道交通三大領域，重點支持IGBT設計、芯片制造、模塊生產及IDM、上游材料、生產設備制造等環節，促進IGBT及相關產業的發展。
　　二是指導湖南省建立功率半導體制造業創新中心建設，整合產業鏈上下游資源，協同攻關工業半導體材料、芯片、器件、IGBT模塊領域關鍵共性技術。
　　三是指導中國寬禁帶半導體及應用產業聯盟發布《中國IGBT技術與產業發展路線圖(2018~2030)》，引導我國IGBT行業技術升級，推動相關產業發展。
　　下一步，工信部將繼續支持我國工業半導體領域成熟技術發展，推動中國芯片制造領域良率、產量的提升。積極部署新材料及新一代產品技術的研發，推動我國工業半導體材料、芯片、器件、IGBT模塊產業的發展。
　　積極推動相關產業人才培養
　　工信部表示，當前，人才問題特別是高端人才團隊短缺成為制約中國工業半導體材料、芯片、器件及IGBT模塊產業可持續發展的關鍵因素，為此工信部及相關部門積極推動中國相關產業人才的培養。
　　一是工信部、教育部共同推動籌建集成電路產教融合發展聯盟，促進產業界和學術界的資源整合，推動培養擁有工程化能力的產業人才。
　　二是同時以集成電路為試點，實施關鍵領域核心技術緊缺博士人才自主培養專項，根據行業企業需要，依托高水平大學和國內骨干企業，針對性地培養一批高端博士人才。
　　三是教育部、工信部等相關部門印發了《關于支持有關高校建設示范性微電子學院的通知》，支持26所高校建設或籌建示范性微電子學院，推動高校與區域內集成電路領域骨干企業、國家公共服務平臺、科技創新平臺、產業化基地和地方政府等加強合作。
　　工信部表示，下一步，與教育部等部門將進一步加強人才隊伍建設。推進設立集成電路一級學科，進一步做實做強示范性微電子學院，加快建設集成電路產教融合協同育人平臺，保障我國在工業半導體材料、芯片、器件及IGBT模塊產業的可持續發展。